시장업체 옴디아, 삼성전자 4분기 점유율 45.7%
3분기 하이닉스에 점유율 5%차 좁혀졌으나 격차 다시 벌려

삼성전자 12나노급 16Gb DDR5 D램. [사진=삼성전자 제공] ⓜ
삼성전자 12나노급 16Gb DDR5 D램. [사진=삼성전자 제공] ⓜ

[미래경제 한우영 기자] 삼성전자가 작년 4분기 D램 점유율을 크게 끌어올리며 2016년 3분기 이후 최대치를 기록했다. 최근 잇단 경쟁업체들의 선전으로 반도체 1위 입지가 흔들린다던 우려를 깨끗이 씻은 셈이다.

27일 시장조사업체 옴디아에 따르면 삼성전자의 작년 4분기 D램 점유율은 45.7%로 1위였다. 이는 2016년 3분기(48.2%) 이후 가장 높은 수준이다.

삼성전자는 점유율을 전 분기(38.7%) 대비 7%포인트 늘리며 2위인 SK하이닉스와의 점유율 격차도 14%포인트로 벌렸다. 3분기 점유율 35%로 5% 이내 까지 격차를 줄였던 SK하이닉스의 D램 점유율은 4분기 31.7%로 다소 주춤했다. 마찬가지로 3위 마이크론의 점유율 역시 소폭 하락해 19.1%를 기록했다. 

삼성전자의 4분기 D램 시장 매출은 전 분기 대비 21%, 전년 동기 대비 39% 증가하며 6분기 만에 처음으로 상승세를 보였다.

삼성전자의 4분기 D램 평균 가격은 모바일 D램 가격 상승에 힘입어 전 분기 대비 12% 상승했으며, 출하량은 전 분기 대비 16% 증가했다.

특히 DDR5와 고대역폭 메모리(HBM) 등 고부가 제품의 매출이 크게 늘며 매출 상승에 기여한 것으로 보인다. 삼성전자는 SK하이닉스와 함께 HBM 시장을 사실상 양분하고 있다.

올해도 D램 매출은 전년 대비 증가할 것으로 예상된다.

삼성전자는 올해 HBM 생산을 위해 실리콘 관통 전극(TSV) 생산능력(캐파)을 업계 최고 수준으로 늘릴 계획이다.

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