[미래경제 김하은 기자] 삼성전자가 미국에서 세계 최대 용량 1테라바이트(Tb) V낸드 등 다양한 차세대 V낸드 제품을 공개했다.

삼성전자는 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2017'(Flash Memory Summit)에서 세계 최대 용량의 V낸드와 차세대 솔리드스테이트드라이브(SSD) 솔루션을 선보였다고 9일 밝혔다.

미국에서 매년 열리는 플래시 메모리 서밋은 세계 최대 플래시 메모리 업계 행사다. 오는 8일부터 10일까지 사흘 동안 진행된다.

삼성전자는 이번 서밋에서 ▲세계 최대 용량의 '1Tb V낸드' ▲서버 시스템의 집적도를 향상 시킬 수 있는 'NGSFF SSD' ▲기존 SSD 대비 성능을 대폭 향상시킨 'Z-SSD' ▲신개념 데이터 저장방식을 적용한 '키밸류(Key Value) SSD' 등 V낸드 기반 신기술을 공개했다.

1Tb V낸드는 데이터를 저장하는 '3차원 셀(Cell)' 용량을 이전 제품(512Gb)보다 2배 늘린 것이 특징이다.

삼성전자 관계자는 "1Tb V낸드는 16단을 적층해 하나의 단품 패키지로 2TB를 만들 수 있어 SSD의 용량을 획기적으로 늘릴 수 있다"고 설명했다.

삼성전자가 이번에 공개한 NGSFF SSD로 M.2 SSD로 구성된 시스템을 대체하면 동일 시스템 공간 기준 저장용량을 4배까지 향상시킬 수 있다.

삼성전자는 NGSFF SSD를 4분기부터 양산에 돌입, 데이터센터 등 다양한 서버 고객들을 유치한다는 계획이다.

삼성전자가 이날 공개한 Z-SSD는 최적화된 동작회로를 구성해 성능을 극대화한 하이엔드 SSD다. 실시간 빅데이터 분석, 고성능 서버용 캐시에 최적화된 제품이다.

NVMe SSD 대비 읽기 응답속도가 무려 7배나 빠른 15마이크로세컨드(㎲)로, 읽기와 쓰기를 반복하는 시스템 환경에서는 최대 12배까지 향상된 응답속도 구현이 가능하다는 게 삼성전자의 설명이다.

Key Value(키 밸류) SSD는 별도의 전환 과정 없이 다양한 데이터를 있는 그대로 저장할 수 있는 만큼 시스템의 데이터 입출력 속도를 높일 수 있는 동시에 SSD의 수명도 향상 시킬 수 있다.